【IPD122N10N3 G/规格参数】厂家_IPD122N10N3 G中文资料_价格

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型号： IPD122N10N3 G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IPD122N10N3 G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD122N10N3 G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供IPD122N10N3 G价格参考以及InfineonIPD122N10N3 G封装/规格参数等产品信息。你可以下载IPD122N10N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD122N10N3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	59 A
Id-连续漏极电流	59 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD122N10N3 GOptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPD122N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
产品型号	IPD122N10N3 G
Pd-PowerDissipation	94 W
Pd-功率耗散	94 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	12.2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	12.2 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	8 ns
下降时间	5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 46µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2500pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	35nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	12.2 毫欧 @ 46A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO252-3
其它名称	IPD122N10N3 GDKR
典型关闭延迟时间	24 ns
功率-最大值	94W
包装	Digi-Reel®
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	12.2 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	59 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	59A （Tc）
系列	IPD122N10
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	IPD122N10N3GBTMA1 SP000485966